结果:找到"HC020N03LD TO-252 30V 20A 20N03",相关内容21条
  • HC3600GSOT23-3L30V4.5A4N03惠海半导体
  • 【惠海半导体30-150V输入中低压N沟道MOS管】340034022N103N104N105N106N108N1010N1012N1014N1015N1017N1018N1020N1025N1030N1035N1040N1015N0620N0630N0635N0640N0650N0660N0620N0325N0330N0335N0340N0350N0360N0315N0420N0450N0425N0430N0435N0440N0430V耐压MOS管40V耐压MOS管60V耐压MOS管100V耐压MOS管主要参数:类型N沟道MOS管耐压30V封装TO-252/SOT23-3交易条件:
  • 所属专栏: 方案应用展 标签: MOS管,30V,3400,30A,20A 发帖人:用芯出发 发帖时间:2021-09-18 15:36:00
  • HC3600MDPDFN333330V25A25N03惠海半导体
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  • 所属专栏: 新品推荐活动 标签: MOS管,30V,3400,30A,20A 发帖人:用芯出发3 发帖时间:2021-09-15 14:38:00
  • HC3600MSOT23-330V8A8N03惠海半导体
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  • 所属专栏: 新品推荐活动 标签: MOS管,30V,3400,30A,20A 发帖人:用芯出发3 发帖时间:2021-09-15 11:35:00
  • HC020N03LDTO-25230V20A20N03
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  • 所属专栏: 方案应用展 标签: HC020N03LD TO-252 30V 20A 20N03 发帖人:用芯出发3 发帖时间:2021-09-14 17:44:00
  • HC020N03LTO-25230V30A30N03惠海半导体
  • 【惠海半导体30-150V输入中低压N沟道MOS管】340034022N103N104N105N106N108N1010N1012N1014N1015N1017N1018N1020N1025N1030N1035N1040N1015N0620N0630N0635N0640N0650N0660N0620N0325N0330N0335N0340N0350N0360N0315N0420N0450N0425N0430N0435N0440N0430V耐压MOS管40V耐压MOS管60V耐压MOS管100V耐压MOS管
  • 所属专栏: 方案应用展 标签: MOS管,30V,3400,30A,20A 发帖人:用芯出发 发帖时间:2021-09-14 16:18:00
  • HC005N03LTO-25230V70A70N03惠海半导体
  • 【惠海半导体30-150V输入中低压N沟道MOS管】340034022N103N104N105N106N108N1010N1012N1014N1015N1017N1018N1020N1025N1030N1035N1040N1015N0620N0630N0635N0640N0650N0660N0620N0325N0330N0335N0340N0350N0360N0315N0420N0450N0425N0430N0435N0440N0430V耐压MOS管40V耐压MOS管60V耐压MOS管100V耐压MOS管产品图片:主要参数:类型N沟道MOS管耐压30V封装TO-252/SOT23-3交易条件:
  • 所属专栏: 方案应用展 标签: MOS管,30V,3400,30A,20A 发帖人:用芯出发 发帖时间:2021-09-13 17:21:00
  • 100VMOS管选型表对照大全及MOS管场效应管原厂供应商-【惠海半导体】
  • 惠海半导体--中低压场效率管(MOSFET)MOS管型号:HC021N10LMOS管参数:100V35A内阻:22mR(VGS=4.5V)结电容:1880pF类型:SGT工艺NMOS开启电压:1.8V封装:TO-252【惠海HC021N10L特点:高频率、大电流、低开启电压、低内阻、结电容小、低消耗、温升低、转换效率高、过电流达、抗冲击能力强、开关损耗小】应用领域:各类照明应用、太阳能电源、加湿器、美容仪等电源开关应用
  • 所属专栏: 方案应用展 标签: 100VMOS管 场效应管 原厂 100v耐压mos 惠海半导体 HC021N10L 100V TO-252 发帖人:用芯出发3 发帖时间:2020-12-22 13:56:00
  • 20N03HN20N0330V20ASOT-89/TO-252封装MOS
  • 深圳市三佛科技有限公司供应20N03,HN20N03:30V20ASOT-89/TO-252封装MOS管具体参数如下:HN20N03参数:30V20ASOT-89N沟道MOS/场效应管品牌:HN型号:HN20N03VDS:30VIDS:20A封装:SOT-89沟道:N沟道HN20N03DA参数:30V20ATO-252N沟道MOS/场效应管品牌:HN型号:HN20N03VDS:30VIDS:20A封装:TO-252沟道:N沟道HN20N03为低压MOS:30V,N沟道,大电流,小封装MOS,HN20N03实际电流可以达到20A,可以满足LED电源,充电器,快充,旅充,小家电等需要低压,大电流...
  • 所属专栏: 技术交流 标签: 20N03 发帖人:三佛科技 发帖时间:2020-08-20 14:01:00
  • 元件位置偏移量
  • 我用了4期扩展库的元件C71139(2SD1816L-R-TN3-T),封装是TO-252-2。SMT订单编号是SMT190226621。在AD里做layout的时候,用了嘉立创集成库里的"TO-252-2-180"的封装。在AD里看到的3D效果图蛮好的,但在下单助手里做DFM检查发现它是偏的,并且帮我修正了,见下图。有两个问题。1.嘉立创集成库的"TO-252-2-180"的封装是有问题的?2.DFM检查后修正了偏移。能否把偏移量告诉我,或者把修正后的坐标文件给我?这样我可以在AD里自己修正好这个封装,避免下次出现同样的问题。
  • 所属专栏: SMT贴片 标签: 位置偏移 TO-252-2 C71139 发帖人:威廉老王子 发帖时间:2019-03-02 14:56:00
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